Новости

Объединенная приборостроительная корпорация (ОПК) России собирается создать с использованием многослойных гибридных микросхем электронику нового поколения двойного назначения, телекоммуникационное оборудование, системы радиоэлектронной борьбы и перспективные беспилотники.

На рубеже 60-70-х годов вакуумные электронные лампы были полностью вытеснены полупроводниковыми транзисторами. Однако их «похороны» оказались преждевременными. Сегодня уже смело можно говорить о создании нановакуумных канальных транзисторов — NVCT, вобравших в себя все лучшее от предшественников.

Омские инженеры разработали систему хранения данных с использованием максимального количества компонентов из России. С ростом количества информации на планете такие системы окружают нас повсеместно во всех сферах.

Российские ученые разработали специальные наноструктуры из арсенида галлия, которые существенно увеличивают скорость работы современных технологичных микросхем, сообщает РИА Новости.

Ученые из Шахтинского филиала Донского государственного университета рассказали о своей работе, посвященной созданию микросхем нового поколения. Разработка получит широкое применение в космической промышленности, а также решит проблему импортозамещения.

Развитие российского тренда по замещению иностранной продукции отечественными аналогами сейчас успешно развивается не только в сфере производства продуктов питания. Так, пример успешного развития в РФ микроэлектроники можно найти в материале информпортала «Сделано у нас».

Средства слежения России позволяют отслеживать перемещения большинства зарубежных спутников на геостационарной орбите. Об этом свидетельствует содержание документа Астрокосмического научного центра (АНЦ).

Физики изучили эффекты, возникающие в оптических волноводах при изменении расстояния между кремниевым волноводом и диэлектрической наночастицей. Оказалось, что при определенном положении наночастицы относительно волновода в ней возникают не известные ранее физические эффекты.

Trench технология позволяет значительно (в 2 … 3 раза) по сравнению с планарной уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках, меньшей мощности управления и при высокой устойчивости к лавинному пробою.

Эту проблему могли бы решить специальные датчики, установленные внутри турбины, с помощью которых можно было бы контролировать ее техническое состояние в процессе работы.