Ускорить работу электроники: в России нашли способ «разогнать» микросхемы

Российские ученые разработали специальные наноструктуры из арсенида галлия, которые существенно увеличивают скорость работы современных технологичных микросхем, сообщает РИА Новости.

Реализацией крайне перспективного проекта занимались специалисты Национального ядерного университета «МИФИ» совместно с учеными СО РАН. «Квантовый дизайн» современных микросхем по своей структуре связан с использованием множества слоев материала из различных полупроводников. Токопроводящий слой отвечает за быстродействие любых приборов, на которых устанавливаются микросхемы.

Этот процесс можно существенно ускорить, если добавлять в состав материала индий. Он призван снизить массу электронов, которые начинают двигаться интенсивнее. Однако «камнем преткновения» в данном процессе выступает кристаллическая решетка у прилегающих слоев. Она вырабатывает напряжение, которое тормозит процесс.

Российским ученым удалось решить эту проблему. Специалисты «МИФИ» нарастили в структуре специальный «промежуточный слой» из арсенида галлия. По своей специфике он выступает в качестве некого барьера для напряжения. Проведенные учеными СО РАН тесты показали, что негативное влияние напряжения кристаллической решетки снижено фактически на 100%.

В итоге в действии электронных микросхем ученым удалось обнаружить и квантовые колебания, которые в науке получили название «Квантовый эффект Холла» (КЭХ). Все результаты российских ученых были подтверждены и опубликованы в научном журнале Journal of Magnetism and Magnetic Materials.

Данная разработка в дальнейшем может послужить существенному расширению возможностей современной электроники.